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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
56
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,169.5
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
44
56
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
4,680.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
2,169.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
779
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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