Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Puntuación global
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    44 left arrow 56
    En 21% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    6 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 56
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    851 left arrow 779
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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