Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Pontuação geral
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    44 left arrow 56
    Por volta de 21% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    6 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 56
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    851 left arrow 779
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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