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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
56
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,169.5
1,892.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
44
56
Velocidade de leitura, GB/s
6,181.5
4,680.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,892.9
2,169.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
851
779
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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