Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    44 left arrow 56
    Autour de 21% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    6 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 56
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    851 left arrow 779
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons