Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    44 left arrow 56
    Около 21% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    851 left arrow 779
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения