RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston KP223C-ELD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KP223C-ELD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KP223C-ELD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2137
2374
Kingston KP223C-ELD 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link