RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link