RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2374
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link