RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3260
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link