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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
比較する
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
総合得点
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
44
56
周辺 21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
6
4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
2,169.5
1,892.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
56
読み出し速度、GB/s
6,181.5
4,680.1
書き込み速度、GB/秒
1,892.9
2,169.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
851
779
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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