RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link