RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
41
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2039
3380
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link