Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 41
    Rund um -46% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2039 left arrow 2179
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RAM 1
RAM 2

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