RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2039
2179
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link