RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2039
2179
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link