RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2179

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
модули RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
модули RAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
модули RAM