RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link