RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 6.5
    Среднее значение в тестах
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 49
    Около -58% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.8 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.1 left arrow 11.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 6.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 1860

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Сравнения RAM

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
модули RAM