RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link