RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link