RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2445
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link