RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2445
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link