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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2445
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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