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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1860
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lenovo 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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