RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3257
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link