RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
3693
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link