RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
3693
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link