RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
2,109.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,162.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,109.3
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
1832
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link