RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link