RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Corsair VS2GB1333D4 2GB против Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.9
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1947
2434
Corsair VS2GB1333D4 2GB Сравнения RAM
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link