Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 13.6

Среднее значение в тестах

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 65

Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.3 2,784.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 13.6
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 1764

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

модули RAM