RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
65
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
1764
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kllisre 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link