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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1764
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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