RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
3507
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link