RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3419
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link