Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 45
    Rund um -80% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 12
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    45 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1939 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche