Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 45
    左右 -80% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.4 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR5
  • PassMark中的延时,ns
    45 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • 写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3419
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