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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR5
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.0
13.4
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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