Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 45
    En -80% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 12
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1939 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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