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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
2954
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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