RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
3075
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link