RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2030
2570
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link