RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2009
3318
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link