RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2009
3318
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link