RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
40
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
2358
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link