RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
40
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
2880
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link