RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
40
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
1891
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link