RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1937
3434
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link