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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2510
2892
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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