RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
84
Rund um -236% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
84
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.6
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
3911
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link