RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
34
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1906
3697
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link