RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
47
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2155
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link