RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
47
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2155
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link